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我国在“膜上存光”时长破世界纪录

  新华社北京2月28日电  我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜,研制出的光声量子存储器,以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》。

  为什么要在薄膜上“存储光”?“光的存储一直是世界难题。”该研究第一作者、北京量子信息科学研究院副研究员刘玉龙说,一直运动的光子停不下来,想要捕捉都很困难,想要存储则难度更大。而声音信号慢得多,更易存储,因此科学家决心寻找一种介质,让光子信号转化为声音信号,于是就找到了声音的存储介质——薄膜。

  “光子好比一个个小球,它们动起来撞击到薄膜上,光的波幅、频率等信息就转化为声音信号。我们把声音信号存在薄膜上,就实现了光的存储。”北京量子信息科学研究院研究员李铁夫说。

  为了“留住光”,各国科学家曾尝试过用金属铝、氮化硅等不同材料薄膜来做存储介质,但受限于材料内部损耗等原因,薄膜振动时长很短,意味着信息能够被存储的时长也很短,一般不超过1秒。

  这一次,我国科学家创造性地将内部结构更加规整的晶体薄膜——单晶碳化硅薄膜,应用到光的存储中来,它的频率稳定性更好、内部损耗更少,存储信息时长更长。

  尝试过金刚石、氮化镓等晶体薄膜之后,研究团队最终选中了单晶碳化硅薄膜,通过实验验证了这一材料的优越性,并实现了4035秒的信息存储。

  值得一提的是,经实验,这种薄膜的优异性能在极低温条件下也能实现,为这一器件在超导、拓扑、半导体量子点等需极低温条件的量子计算机中的应用奠定基础。

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